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改進(jìn)熱交換法生長(zhǎng)藍(lán)寶石晶體的氣泡研究(一)

蔡迅,黎建明,劉春雷,李楠

摘要:采用改進(jìn)的熱交換法生長(zhǎng)的藍(lán)寶石晶體,氣泡是其主要缺陷之一。本文采用數(shù)值模擬研究了晶體生長(zhǎng)過程中氦氣流量對(duì)坩堝內(nèi)溫場(chǎng)、固液界面形狀的影響。并結(jié)合晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果,分析了在實(shí)際的晶體生長(zhǎng)過程中,氦氣流量的線性增加對(duì)晶體內(nèi)氣泡的尺寸、形態(tài)和分布的影響。

1 引言

人造藍(lán)寶石晶體(α-Al2O3)是一種性能非常優(yōu)異的晶體材料,具有高硬度、高熔點(diǎn)、穩(wěn)定的化學(xué)性能、良好的機(jī)械性能、優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性和電氣絕緣性,在紫外、可見、紅外波段范圍內(nèi)具有高的透過率,在35μm波段透過率高達(dá)85%,因而被廣泛應(yīng)用于高端技術(shù)領(lǐng)域,如各種儀表軸承,光學(xué)元件,激光器,微電子、光電子產(chǎn)業(yè)的襯底材料和軍事裝置理想的窗口材料等。近年來,國(guó)防、軍事及紅外技術(shù)的迅速發(fā)展,對(duì)藍(lán)寶石晶體材料提出了更高的質(zhì)量要求。氣泡是藍(lán)寶石晶體中主要的缺陷之一。氣泡的存在,不僅會(huì)引起散射現(xiàn)象,而且氣泡周圍形成的應(yīng)力集中將促進(jìn)位錯(cuò)或其它微觀缺陷的形成,降低晶體光學(xué)、力學(xué)等性能,嚴(yán)重限制了藍(lán)寶石晶體在軍工和民用領(lǐng)域的應(yīng)用。

本文采用改進(jìn)的熱交換法生長(zhǎng)藍(lán)寶石晶體,通過模擬與實(shí)驗(yàn)研究了晶體生長(zhǎng)過程中熱交換器中氦氣流量的線性增加對(duì)溫場(chǎng)、固液界面形狀及晶體內(nèi)氣泡尺寸、形態(tài)及分布的影響。

2 實(shí)驗(yàn)

2.1 藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)

為解決傳統(tǒng)的熱交換法生長(zhǎng)藍(lán)寶石存在開裂和難以脫模問題,實(shí)驗(yàn)采用改進(jìn)的熱交換法,在新的生長(zhǎng)系統(tǒng)中,熱交換器仍對(duì)藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)全過程控制起主導(dǎo)作用。晶體生長(zhǎng)是自上而下進(jìn)行的,生長(zhǎng)的晶體不與坩堝壁接觸。通過調(diào)節(jié)加熱器的功率和熱交換器的氣流量來控制熔體和晶體中的溫度梯度,有利于控制晶體的生長(zhǎng),提高藍(lán)寶石晶體的質(zhì)量。

實(shí)驗(yàn)生長(zhǎng)設(shè)備為自行設(shè)計(jì)的BS004氧化物單晶爐,采用圓筒型的石墨加熱器,鉬制坩堝,保溫系統(tǒng)為碳碳復(fù)合結(jié)構(gòu)保溫層。外接光電高溫計(jì),監(jiān)測(cè)爐內(nèi)溫度變化。晶體生長(zhǎng)過程中加熱功率和熱交換器中的氦氣流量分別由可編程自動(dòng)控制系統(tǒng)獨(dú)立控制。

實(shí)驗(yàn)采用純度≥99.999%的α-A12O3塊狀原料,自行加工的a向籽晶,裝料30kg,充入氬氣作為保護(hù)氣。晶體生長(zhǎng)過程具體分為以下幾個(gè)階段為:(1)熔料,保持初始氦氣流量0.33L /s不變,增大加熱器功率,使光電高溫計(jì)溫度達(dá)到2320K,完成化料;(2)引晶,下?lián)u籽晶使其與熔體接觸處獲得良好的固液界面;(3)以2.78×10-4L /s的增速持續(xù)增加氦氣流量至1.67L /s,促使晶體生長(zhǎng);(4)降溫生長(zhǎng):保持氦氣流量1.67L /s不變,緩慢降低晶體加熱器的功率,促使結(jié)晶完全。

2.2溫場(chǎng)的數(shù)值模擬

采用專業(yè)晶體生長(zhǎng)模擬軟件CrysMAS,根據(jù)爐體結(jié)構(gòu),尺寸及藍(lán)寶石的特性參數(shù),以及實(shí)際晶體生長(zhǎng)的參數(shù)設(shè)置,選擇光電高溫計(jì)測(cè)量點(diǎn)為控制點(diǎn),采用準(zhǔn)靜態(tài)逆序模式模擬,即指定控制點(diǎn)溫度和氦氣流量,計(jì)算爐內(nèi)總體溫場(chǎng)。表1為數(shù)值模擬過程中所使用的參數(shù)。

1 數(shù)值模擬中所使用的晶體生長(zhǎng)參數(shù)

2.3氣泡的觀察實(shí)驗(yàn)

在晶體的引晶部位、晶體的頂部區(qū)域、等徑中間部位和結(jié)晶收尾處切取樣品,將樣品切割成厚度為1mmc(0001)面晶片,經(jīng)過研磨及拋光后,在ZEISS立體顯微鏡下觀察氣孔尺寸、形態(tài)及分布。

未完待續(xù)……



來源:藍(lán)寶石應(yīng)用。



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